移动首款自研高速光芯片成果登顶.级期刊

近日，中 国移动(108.330, 0.00, 0.00%)研究院成功自主研制出中 国移动首款新结构硅基外腔混合集成光源芯片，相关成果被光学领域顶.级学术期刊Photonics Research录用（影响因子7.2，中 国科学院1区TOP）。

该芯片本征线宽（衡量信号频率稳定性的核心指标）达34.2 Hz，相位噪声比现有产品降低三个量级（本征线宽从数十kHz降低到数十Hz），为每秒可传送万亿比特数据的T比特级下一代光传输技术提供了全新解决方案。

面对T比特级光传输“扩波段”“提速率”的挑战，研发团队通过三大技术创新突破瓶颈：一是用“反向游标”结构实现超200nm超宽谱调谐，较现有商用产品提升100％；二是攻克增益难题，实现多波段无缝切换；三是采用低损氮化硅谐振腔，让线宽仅为现有商用产品的千分之一。

历经3年攻关，团队全程主导从结构设计、参数仿真到版图布局、流片封装、原型验证的全流程研发，在实现调谐范围、线宽等关键性能指标突破的同时，通过优化结构设计和版图布局，将芯片面积缩减90％，达到1.5mm×4mm，且兼容标准的紧凑型nano封装，具备产品化前景。该芯片从设计、制备到封装均在国内完成，实现了全链条自主可控。